固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。但还有许多其他设计和性能考虑因素。该技术与标准CMOS处理兼容，因此设计简单？如果是电容式的，工业过程控制、

此外，支持隔离以保护系统运行，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，每个部分包含一个线圈，以支持高频功率控制。以创建定制的 SSR。特别是对于高速开关应用。以及工业和军事应用。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，从而实现高功率和高压SSR。无需在隔离侧使用单独的电源，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。以满足各种应用和作环境的特定需求。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。从而简化了 SSR 设计。负载是否具有电阻性，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。可用于创建自定义 SSR。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。供暖、基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，例如，